SSD 1TB Samsung 850 EVO 2.5 7mm SATA III 3D V-Nand - MZ-75E1T0B/AM

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Mude seu conceito em praticamente todos os aspectos do desempenho do seu computador com novo Samsung 850 EVO 1TB SATA III 3D V-NAND. Com a atual geração de SSD's Samsung 850 EVO, você vai usufruir do novo projeto de chip EVO 3 Dimensional, que permite um desempenho superior, mais confiabilidade e eficiência energética superior para trabalhar e jogar mais rápido do que nunca.

A tecnologia Samsung 3D V-NAND tem um desempenho excepcional com criptografia AES de 256 bits para proteger seus dados e seu investimento.

O que é o 3D V-NAND e como é que difere de tecnologia existente?
A arquitetura de memória flash 3D V-NAND exclusiva e única da Samsung constitui um grande avanço, uma vez que supera as limitações de densidade, desempenho e resistência da atual arquitetura NAND convencional. A 3D V-NAND empilha 32 camadas de células verticalmente, umas sobres as outras, em vez de reduzir as dimensões das células e de tentar encaixá-las num espaço horizontal fixo. Como resultado, a tecnologia oferece uma densidade superior e um melhor desempenho usando uma dimensão inferior.

Computação otimizada com a tecnologia TurboWrite para velocidades de leitura / escrita imbatíveis!!!
Alcance o desempenho mais avançado de leitura / escrita para maximizar a sua experiência diária de computação com a tecnologia TurboWrite da Samsung. O Samsung M.2 850 EVO apresenta um aumento geral da experiência do usuário, em parte graças às velocidades de escrita aleatória agora 5x mais rápidas. O 850 EVO oferece o melhor desempenho da sua classe em termos de velocidades de leitura (540 MB/s) e escrita (520 MB/s).

Proteção eficaz contra o sobreaquecimento com o Dynamic Thermal Guard
A funcionalidade Dynamic Thermal Guard do 850 EVO monitora e mantém constantemente e automaticamente a temperatura ideal para que a unidade funcione em ótimas condições.


Especificações:

SSD SAMSUNG 850 Evo 1TB SATA III 2.5" 7mm - 3D V-Nand

Leitura Sequencial
Velocidade de Leitura: 540 MB/s

Escrita Sequencial
Velocidade de Escrita: 520 MB/s

Leitura aleatória (4KB, QD32)
Leitura aleatória até 98.000 IOPS

Escrita aleatória (4KB, QD32)
Escrita aleatória até 90.000 IOPS

Interface
SATA 6 Gb/s, compatível com interface SATA 3 Gb/s e SATA 1,5 Gb/s

Memória de armazenamento
Samsung V-NAND

Controlador
Controlador Samsung MGX, Memória cache Samsung 512 MB Low Power DDR3

Garantia
Garantia TOTAL DE 3 ANOS
 

 

 

Características

Indicado para
Notebooks, Desktops e Ultrabooks
Características Gerais
Leitura Sequencial
Velocidade de Leitura: 540 MB/s

Escrita Sequencial
Velocidade de Escrita: 520 MB/s

Leitura aleatória (4KB, QD32)
Leitura aleatória até 98.000 IOPS

Escrita aleatória (4KB, QD32)
Escrita aleatória até 90.000 IOPS
Capacidade
De 1 TB a 4TB

Especificações Técnicas

Garantia
Garantia total de 3 anos

Contato Samsung

E-mail/Site:
4004-0000 - capitais e grandes centros, 0800-124-421 demais cidades e regiões

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